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NDS8852H

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 1539  
說明:
 MOSFET DISC BY MFG 2/02
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NDS8852H-8-SOIC圖片

NDS8852H PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:21 ns, 21 ns
上升時間:13 ns, 21 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:5 ns, 8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Common Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.08 Ohms
漏極連續(xù)電流:4.3 A, - 3.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是NDS8852H的詳細(xì)信息,包括NDS8852H廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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