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NDS356AP_L99Z

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOT-23
數量:
 2142  
說明:
 MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode
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NDS356AP_L99Z PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:53 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:17 ns
功率耗散:0.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:17 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-23
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.3 Ohms
漏極連續電流:1.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是NDS356AP_L99Z的詳細信息,包括NDS356AP_L99Z廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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