色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

NDP6030PL_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-220
數量：
 1926  
說明：
 MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
NDP6030PL_Q-TO-220圖片

NDP6030PL_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：50 ns
上升時間：60 ns
功率耗散：75 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時間：52 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.037 Ohms
漏極連續電流：52 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDP6030PL_Q的詳細信息，包括NDP6030PL_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

  • NDP6060圖片

    NDP6060

    MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode

  • NDP7050圖片

    NDP7050

    MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode

  • NDP7050L圖片

    NDP7050L

    MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板： 昌江| 崇仁县| 吉林市| 湟源县| 无为县| 会昌县| 甘南县| 始兴县| 南川市| 昌黎县| 左贡县| 大悟县| 开鲁县| 乐山市| 临江市| 郁南县| 满城县| 偏关县| 麻江县| 昌吉市| 凭祥市| 西宁市| 石家庄市| 和静县| 榕江县| 科技| 乃东县| 夹江县| 定襄县| 安国市| 湘阴县| 光泽县| 甘肃省| 丹寨县| 建阳市| 治县。| 阿拉善左旗| 双峰县| 邓州市| 周口市| 宿迁市|