色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

NDC632P_F095

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SuperSOT-6
數量:
 1458  
說明:
 MOSFET -20V -2.7A P-CH ENHANCEMENT MODE
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
NDC632P_F095-SuperSOT-6圖片

NDC632P_F095 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

典型關閉延遲時間:25 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:40 ns
功率耗散:1600 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:40 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SuperSOT-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Triple Drain Dual Source
漏極連續電流:2.7 A
閘/源擊穿電壓:- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是NDC632P_F095的詳細信息,包括NDC632P_F095廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

  • NDC651N圖片

    NDC651N

    MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode

  • NDC7001C圖片

    NDC7001C

    MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode

  • 暫無電子元件圖

    NDC7001C_Q

    MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 婺源县| 施秉县| 黎平县| 苍梧县| 赤峰市| 奉新县| 长泰县| 剑川县| 隆安县| 腾冲县| 宜黄县| 娱乐| 唐海县| 含山县| 景东| 繁峙县| 新晃| 玛纳斯县| 南川市| 门源| 乳源| 曲阳县| 天水市| 桃源县| 南丹县| 涟源市| 巴林右旗| 马公市| 汉源县| 乌海市| 炎陵县| 太和县| 香港| 武平县| 怀柔区| 康乐县| 无棣县| 巫溪县| 广宗县| 宁都县| 萨迦县|