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NCV84090DR2G

廠家：: onsemi
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 2182
說明：: 90MOHM HIGH SIDE SMARTFET

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NCV84090DR2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
封裝：8-SOIC
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
故障保護：限流（可調(diào)），開路負載檢測，超溫，反向電流，UVLO
特性：負載釋放，壓擺率受控型
輸入類型：非反相
導(dǎo)通電阻（典型值）：90 毫歐
電流 - 輸出（最大值）：24A
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：不需要
電壓 - 負載：4V ~ 28V
接口：開/關(guān)
輸出類型：P 通道
輸出配置：高端
比率 - 輸入:輸出：1:01
輸出數(shù)：1
開關(guān)類型：通用
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
品牌：onsemi

以上是NCV84090DR2G的詳細信息，包括NCV84090DR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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