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NCV1413BDR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 16-SOIC
數量：: 1059
說明：: 達林頓晶體管 High Voltage High Current Darlington

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NCV1413BDR2G PDF參數資料

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中文參數如下：
認證機構：
封裝封裝/外殼：16-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：-
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 350mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：-
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：1.6V @ 500μA，350mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：500mA
晶體管類型：7 NPN 達林頓
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是NCV1413BDR2G的詳細信息，包括NCV1413BDR2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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