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NCP5111DR2G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 1594  
說(shuō)明:
  功率驅(qū)動(dòng)器IC HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER
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NCP5111DR2G-8-SOIC圖片

NCP5111DR2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:2500
輸出端數(shù)量:2
激勵(lì)器數(shù)量:2
配置:Inverting, Non-Inverting
包裝形式:Reel
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電源電流:5 mA
電源電壓-最小:10 V
下降時(shí)間:75 ns
上升時(shí)間:160 ns
類型:High Side/Low Side
RoHS:是
產(chǎn)品種類: 功率驅(qū)動(dòng)器IC
制造商:ON Semiconductor

以上是NCP5111DR2G的詳細(xì)信息,包括NCP5111DR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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