點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：3-UB（3.09x2.45）
封裝/外殼：3-SMD，無引線
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-65°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：360 mW
電阻 - RDS(On)：80 Ohms
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V
不同 Id 時(shí)電壓 - 截止 (VGS off)：-
漏極電流 (Id) - 最大值：-
不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)電流 - 漏極 (Idss)：8 mA @ 20 V
漏源電壓（Vdss）：40 V
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：40 V
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Military, MIL-PRF-19500/431
系列：卷帶（TR）
品牌：Microchip Technology

以上是MX2N4093UB/TR的詳細(xì)信息，包括MX2N4093UB/TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

最新產(chǎn)品：

ISC017N04NM5ATMA1

T541X107K030BT8620

SI8642BB-AUR

MIP75R12E2ATN-BP

CRCW040210R0FKEDC

OPA857IRGTT

100B3R6BW500XT1K

XC2VP2-6FF672C

SI5345D-B09294-GM

USB3347-CP-TR