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中文參數如下:
包裝形式:Reel
功率耗散:187 mW, 256 mW
集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V
直流集電極/Base Gain hfe Min:80
封裝形式:SOT-363
安裝風格:SMD/SMT
典型電阻器比率:1
典型輸入電阻器:47 KOhms
晶體管極性:NPN
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor
以上是MUN5213DW1T3G的詳細信息,包括MUN5213DW1T3G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!