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MTZJT-779.1B

廠家:
  ROHM Semiconductor
封裝:
 MSD
數(shù)量:
 1971  
說明:
 穩(wěn)壓二極管 9.1V 5MA
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MTZJT-779.1B-MSD圖片

MTZJT-779.1B PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:5000
最小工作溫度:- 65 C
配置:Single
包裝形式:Ammo
封裝形式:DO-34
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
最大齊納阻抗:20 Ohms
最大反向漏泄電流:0.5 uA
功率耗散:500 mW
齊納電流:20 mA
電壓容差:3 %
齊納電壓:8.79 V
RoHS:是
產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管
制造商:ROHM Semiconductor

以上是MTZJT-779.1B的詳細信息,包括MTZJT-779.1B廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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