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中文參數如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C1 歐姆 @ 3A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C6A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 750pF @ 25V
功率 - 最大75W
安裝類型通孔
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