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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > MTD6P10E

MTD6P10E

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 1107
說明：: MOSFET P-CH 100V 6A DPAK

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MTD6P10E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C660 毫歐 @ 3A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 840pF @ 25V
功率 - 最大1.75W
安裝類型表面貼裝

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