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中文參數如下：
典型關閉延遲時間：26 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：77 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：8 S
下降時間：46 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.065 Ohms
漏極連續電流：20 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor
以上是MTD20N06VT4的詳細信息，包括MTD20N06VT4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
