色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > MTB50P03HDLG

MTB50P03HDLG

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: D2PAK
數量：: 774
說明：: MOSFET PFET 30V 50A

一、本商品被瀏覽0次.

MTB50P03HDLG PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：90 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：340 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：218 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.025 Ohms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 15 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是MTB50P03HDLG的詳細信息，包括MTB50P03HDLG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1