色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<dl id="2wkyc"></dl>

<input id="2wkyc"></input>

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SIR5708DP-T1-RE3

SIR5708DP-T1-RE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數(shù)量：: 4764
說明：: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

一、本商品被瀏覽0次.

SIR5708DP-T1-RE3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：5.2W（Ta），65.7W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：975 pF @ 75 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：23 毫歐 @ 10A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9.5A（Ta），33.8A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：150 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：TrenchFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay Siliconix

以上是SIR5708DP-T1-RE3的詳細信息，包括SIR5708DP-T1-RE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1