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MPSW56_D26Z

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-226
數量：: 3285
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose

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MPSW56_D26Z PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：2000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：1 W
封裝形式：TO-226
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：100
增益帶寬產品fT：50 MHz
最大直流電集電極電流：1 A
集電極—射極飽和電壓：80 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：80 V
集電極—基極電壓 VCBO：80 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MPSW56_D26Z的詳細信息，包括MPSW56_D26Z廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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