色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<li id="oagck"></li>

<strike id="oagck"></strike>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MMDT5551-7

MMDT5551-7

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: SOT-363
數量：: 5886
說明：: 兩極晶體管 - BJT 160V 200mW

一、本商品被瀏覽0次.

MMDT5551-7 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
認證機構：
封裝封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：300MHz
功率 - 最大值：200mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：50nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：160V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200mA
晶體管類型：2 NPN（雙）
產品狀態：Digi-Key 停止提供
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
品牌：Diodes Incorporated

以上是MMDT5551-7的詳細信息，包括MMDT5551-7廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：