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MMBT3646_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOT-23
數量:
 3042  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Switching Transistor NPN
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MMBT3646_Q PDF參數資料

中文參數如下:

包裝形式:Reel
最大功率耗散:625 mW
集電極連續電流:0.3 A
封裝形式:SOT-23
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:30 at 30 mA at 0.4 V
最大直流電集電極電流:0.3 A
集電極—射極飽和電壓:15 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V
集電極—基極電壓 VCBO:40 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是MMBT3646_Q的詳細信息,包括MMBT3646_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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