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MMBT2222LT1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 SOT-23-3
數量:
 47898  
說明:
 兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN
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MMBT2222LT1G-SOT-23-3圖片

MMBT2222LT1G PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:3000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:225 mW
直流電流增益 hFE 最大值:300
集電極連續電流:0.6 A
封裝形式:SOT-23-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:100
增益帶寬產品fT:250 MHz
最大直流電集電極電流:0.6 A
集電極—射極飽和電壓:30 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V
集電極—基極電壓 VCBO:60 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:ON Semiconductor

以上是MMBT2222LT1G的詳細信息,包括MMBT2222LT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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