色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MJE5851G

MJE5851G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 7314
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT 8A 350V 80W PNP

一、本商品被瀏覽0次.

MJE5851G PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：50
包裝形式：Tube
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：80 W
集電極連續(xù)電流：8 A
封裝形式：TO-220-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：15
最大直流電集電極電流：8 A
集電極—射極飽和電壓：350 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：350 V
集電極—基極電壓 VCBO：400 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MJE5851G的詳細(xì)信息，包括MJE5851G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：