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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：400
包裝形式：Box
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：2000 mW
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：10
增益帶寬產(chǎn)品fT：4 MHz
最大直流電集電極電流：4 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：9 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：300 V
晶體管極性：NPN
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

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