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MJD45H11T4G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-252-3 (DPAK)
數量:
 6868  
說明:
 兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP
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MJD45H11T4G-TO-252-3 (DPAK)圖片

MJD45H11T4G PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:2500
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:20 W
集電極連續電流:8 A
封裝形式:TO-252-3 (DPAK)
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:60 at 2 A at 1 V
增益帶寬產品fT:90 MHz
最大直流電集電極電流:8 A
集電極—射極飽和電壓:80 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:80 V
集電極—基極電壓 VCBO:5 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:ON Semiconductor

以上是MJD45H11T4G的詳細信息,包括MJD45H11T4G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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