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MJB45H11T4

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-263-3 (D2PAK)
數量：: 5877
說明：: 兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP

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MJB45H11T4 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：800
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：50 W
集電極連續電流：10 A
封裝形式：TO-263-3 (D2PAK)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60
增益帶寬產品fT：40 MHz
最大直流電集電極電流：10 A
集電極—射極飽和電壓：80 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：80 V
集電極—基極電壓 VCBO：5 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MJB45H11T4的詳細信息，包括MJB45H11T4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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