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中文參數如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C350 毫歐 @ 1.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs-
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C750mA
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 130pF @ 5V
功率 - 最大400mW
安裝類型表面貼裝

以上是MGSF1P02LT1的詳細信息，包括MGSF1P02LT1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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