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MCB60P1200TLB-TRR

廠家:
  IXYS
封裝:
 9-SMPD-B
數(shù)量:
 4482  
說明:
 MCB60P1200TLB-TRR
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MCB60P1200TLB-TRR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

封裝封裝/外殼:9-PowerSMD
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-
功率 - 最大值:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):-
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):-
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):-
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):-
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
FET 功能:-
配置:4 N 溝道(半橋)
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:IXYS

以上是MCB60P1200TLB-TRR的詳細(xì)信息,包括MCB60P1200TLB-TRR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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