色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MBT35200MT1

MBT35200MT1

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TSOP-6
數量：: 3888
說明：: 兩極晶體管 - BJT Low Saturation

一、本商品被瀏覽0次.

MBT35200MT1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
集電極連續電流：- 2 A
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：100 at 1 A at 1.5 V
增益帶寬產品fT：100 MHz
最大直流電集電極電流：2 A
集電極—射極飽和電壓：- 35 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 35 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 55 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MBT35200MT1的詳細信息，包括MBT35200MT1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：