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MBRT60035L

廠家：
  GeneSiC Semiconductor
封裝：
 三塔
數(shù)量：
 6066  
說明：
 DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER
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MBRT60035L-三塔圖片

MBRT60035L PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：三塔
封裝/外殼：三塔
安裝類型：底座安裝
工作溫度 - 結：-55°C ~ 150°C
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：3 mA @ 35 V
反向恢復時間 (trr)：-
速度：快速恢復 = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：600 mV @ 300 A
電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：300A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：35 V
技術：肖特基
二極管配置：1 對共陰極
產品狀態(tài)：停產
包裝：-
系列：散裝
品牌：GeneSiC Semiconductor

以上是MBRT60035L的詳細信息，包括MBRT60035L廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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