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KST10MTF_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 SOT-23
數(shù)量：
 8019  
說明：
 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KST10MTF_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Reel
最大功率耗散：350 mW
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60 at 4 mA at 10 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：650 MHz
集電極—射極飽和電壓：25 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：25 V
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KST10MTF_Q的詳細(xì)信息，包括KST10MTF_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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