色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 達林頓晶體管 > KSP13BU_Q

KSP13BU_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92
數量：: 7263
說明：: 達林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington

一、本商品被瀏覽0次.

KSP13BU_Q PDF參數資料

中文參數如下：

直流集電極/Base Gain hfe Min：5000
集電極連續電流：0.5 A
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：625 mW
最大集電極截止電流：0.1 uA
最大直流電集電極電流：0.5 A
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：10 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：30 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSP13BU_Q的詳細信息，包括KSP13BU_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊