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KSH30CITU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: IPAK
數量：: 6759
說明：: 兩極晶體管 - BJT

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KSH30CITU PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Rail
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：1560 mW
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：40 at 0.2 A at 4 V
增益帶寬產品fT：3 MHz
最大直流電集電極電流：1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：100 V
集電極—基極電壓 VCBO：100 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSH30CITU的詳細信息，包括KSH30CITU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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