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KSE13009LTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3P
數量：: 747
說明：: 兩極晶體管 - BJT

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KSE13009LTU PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Rail
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：130000 mW
直流電流增益 hFE 最大值：8
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：8
增益帶寬產品fT：4 MHz
最大直流電集電極電流：12 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：9 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：400 V
集電極—基極電壓 VCBO：700 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSE13009LTU的詳細信息，包括KSE13009LTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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