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KSE13005H1A

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220
數量：: 6489
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor

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KSE13005H1A PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Bulk
最大功率耗散：75000 mW
集電極連續電流：1.5 A
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：10
增益帶寬產品fT：4 MHz
最大直流電集電極電流：4 A
集電極—射極飽和電壓：400 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：9 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：400 V
集電極—基極電壓 VCBO：700 V
晶體管極性：NPN
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSE13005H1A的詳細信息，包括KSE13005H1A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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