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KSE13003TH1A

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220
數量:
 6399  
說明:
 兩極晶體管 - BJT
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KSE13003TH1A-TO-220圖片

KSE13003TH1A PDF參數資料

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中文參數如下:

包裝形式:Tube
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:30000 mW
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:8
增益帶寬產品fT:4 MHz
最大直流電集電極電流:1.5 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:9 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:400 V
集電極—基極電壓 VCBO:700 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KSE13003TH1A的詳細信息,包括KSE13003TH1A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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