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KSD261CYTA

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92-3
數量:
 8298  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor
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KSD261CYTA-TO-92-3圖片

KSD261CYTA PDF參數資料

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中文參數如下:
供應商器件:
封裝封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線
安裝類型:通孔
工作溫度:150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:-
功率 - 最大值:500 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):120 @ 100mA,1V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):400mV @ 50mA,500mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):20 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):500 mA
晶體管類型:NPN
產品狀態:停產
包裝:-
系列:帶盒(TB)
品牌:onsemi

以上是KSD261CYTA的詳細信息,包括KSD261CYTA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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