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KSD1621TTF_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 SOT-89
數量：
 6138  
說明：
 兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor
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KSD1621TTF_Q PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Reel
最大功率耗散：0.5 W
直流電流增益 hFE 最大值：560
集電極連續電流：2 A
封裝形式：SOT-89
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：100
增益帶寬產品fT：150 MHz
最大直流電集電極電流：2 A
集電極—射極飽和電壓：25 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：25 V
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSD1621TTF_Q的詳細信息，包括KSD1621TTF_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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