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KSC5026MO

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-126
數量：: 5184
說明：: 兩極晶體管 - BJT TO-126

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KSC5026MO PDF參數資料

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中文參數如下：

最大功率耗散：20000 mW
封裝形式：TO-126
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：20
增益帶寬產品fT：15 MHz
最大直流電集電極電流：1.5 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：800 V
集電極—基極電壓 VCBO：1.1 kV
晶體管極性：NPN
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSC5026MO的詳細信息，包括KSC5026MO廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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