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KSC3503DSTU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-126-3
數(shù)量:
 13517  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KSC3503DSTU-TO-126-3圖片

KSC3503DSTU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應(yīng)商器件:
封裝封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
安裝類型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:150MHz
功率 - 最大值:7 W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):40 @ 10mA,10V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):600mV @ 2mA,20mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):300 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100 mA
晶體管類型:NPN
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:管件
品牌:onsemi

以上是KSC3503DSTU的詳細(xì)信息,包括KSC3503DSTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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