色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > KSC1845PTA_Q

KSC1845PTA_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92
數(shù)量：: 4248
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

KSC1845PTA_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Ammo
最大功率耗散：0.5 W
直流電流增益 hFE 最大值：1200
集電極連續(xù)電流：0.05 A
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：200
增益帶寬產(chǎn)品fT：110 MHz
最大直流電集電極電流：0.05 A
集電極—射極飽和電壓：120 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：120 V
集電極—基極電壓 VCBO：120 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSC1845PTA_Q的詳細信息，包括KSC1845PTA_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：