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KSC1008GTA_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92
數量:
 3908  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor
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KSC1008GTA_Q-TO-92圖片

KSC1008GTA_Q PDF參數資料

中文參數如下:

包裝形式:Ammo
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:0.8 W
直流電流增益 hFE 最大值:400
集電極連續電流:0.7 A
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:40
增益帶寬產品fT:50 MHz
最大直流電集電極電流:0.7 A
集電極—射極飽和電壓:60 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:8 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:60 V
集電極—基極電壓 VCBO:80 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KSC1008GTA_Q的詳細信息,包括KSC1008GTA_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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