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KSB811YTA_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92S
數(shù)量:
 3870  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor
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KSB811YTA_Q-TO-92S圖片

KSB811YTA_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

包裝形式:Ammo
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:350 mW
集電極連續(xù)電流:- 1 A
封裝形式:TO-92S
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:120 at 100 mA at 1 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:110 MHz
最大直流電集電極電流:1 A
集電極—射極飽和電壓:- 25 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 25 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 30 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KSB811YTA_Q的詳細信息,包括KSB811YTA_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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