色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<strike id="omyyq"></strike><tfoot id="omyyq"><small id="omyyq"></small></tfoot>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > KSB1151YSTSSTU

KSB1151YSTSSTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-126-3
數量：: 4194
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil

一、本商品被瀏覽0次.

KSB1151YSTSSTU PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3
安裝類型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：1.3 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 2A，1V
電流 - 集電極截止（最大值）：10μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 200mA，2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：60 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：5 A
晶體管類型：PNP
產品狀態：停產
包裝：-
系列：管件
品牌：onsemi

以上是KSB1151YSTSSTU的詳細信息，包括KSB1151YSTSSTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：