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IXYQ30N65B3D1

廠家:
  IXYS
封裝:
 TO-3P
數(shù)量:
 6768  
說明:
 DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
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IXYQ30N65B3D1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
安裝類型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
反向恢復(fù)時間 (trr):38 ns
測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V
25°C 時 Td(開/關(guān))值:17ns/87ns
柵極電荷:45 nC
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量:830μJ(開),640μJ(關(guān))
功率 - 最大值:270 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):160 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):70 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
IGBT 類型:PT
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:GenX3?, XPT?
系列:管件
品牌:IXYS

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