色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IXXN110N65C4H1

IXXN110N65C4H1

廠家：: IXYS
封裝：: SOT-227B
數量：: 4023
說明：: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B

一、本商品被瀏覽0次.

IXXN110N65C4H1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：無
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：3.69 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：50 μA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.35V @ 15V，110A
功率 - 最大值：750 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：210 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
配置：單路
IGBT 類型：PT
產品狀態：在售
包裝：XPT?, GenX4?
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXXN110N65C4H1的詳細信息，包括IXXN110N65C4H1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：

FS3L100R07W3S5B11BPSA1

FS75R12KE3BPSA1

DDB6U134N16RRB80BPSA1