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IXUN280N10

廠家:
  IXYS
封裝:
 SOT-227B
數量:
 7524  
說明:
 MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B
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IXUN280N10-SOT-227B圖片

IXUN280N10 PDF參數資料

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中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):770W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):18000 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):440 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 4mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):5 毫歐 @ 140A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):280A(Tc)
漏源電壓(Vdss):100 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:停產
包裝:-
系列:管件
品牌:IXYS

以上是IXUN280N10的詳細信息,包括IXUN280N10廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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