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IXTY1R4N120P-TRL

廠家:
  IXYS
封裝:
 TO-252AA
數量:
 1611  
說明:
 MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
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IXTY1R4N120P-TRL PDF參數資料

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中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):86W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):666 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):24.8 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):13 歐姆 @ 700mA,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):1.4A(Tc)
漏源電壓(Vdss):1200 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:Polar
系列:卷帶(TR)
品牌:IXYS

以上是IXTY1R4N120P-TRL的詳細信息,包括IXTY1R4N120P-TRL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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