色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXTX550N055T2

IXTX550N055T2

廠家：: Ixys
封裝：: PLUS247?-3
數(shù)量：: 1809
說明：: 功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

IXTX550N055T2 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

商標(biāo)名：TrenchT2 GigaMOS
輸出電壓：55 V
輸出電流：550 A
輸出端數(shù)量：1
激勵器數(shù)量：Single
最小工作溫度：- 55 C
最大開啟延遲時間：45 ns
最大關(guān)閉延遲時間：90 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：PLUS-247
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
最大功率耗散：1250 W
電源電流：200 A
下降時間：230 ns
上升時間：40 ns
類型：TrenchT2 GigaMOS
產(chǎn)品：MOSFET Gate Drivers
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTX550N055T2的詳細(xì)信息，包括IXTX550N055T2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1