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IXTT1N300P3HV

廠家:
  IXYS
封裝:
 TO-268HV(IXTT)
數量:
 6741  
說明:
 MOSFET N-CH 3000V 1A TO268
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IXTT1N300P3HV-TO-268HV(IXTT)圖片

IXTT1N300P3HV PDF參數資料

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中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):195W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):895 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):30.6 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):50 歐姆 @ 500mA,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):1A(Tc)
漏源電壓(Vdss):3000 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:Polar P3?
系列:管件
品牌:IXYS

以上是IXTT1N300P3HV的詳細信息,包括IXTT1N300P3HV廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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