色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXTT1N100

IXTT1N100

廠(chǎng)家：: Ixys
封裝：: TO-268AA
數(shù)量：: 7875
說(shuō)明：: MOSFET 1 Amps 1000V

一、本商品被瀏覽0次.

IXTT1N100 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：20 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量：30
上升時(shí)間：19 ns
功率耗散：60 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：18 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-268
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：11 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTT1N100的詳細(xì)信息，包括IXTT1N100廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ