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IXTQ102N20T

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-3P
數量:
 8982  
說明:
 MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds
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IXTQ102N20T-TO-3P圖片

IXTQ102N20T PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:50 ns
工廠包裝數量:30
上升時間:26 ns
功率耗散:750 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:25 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-3P
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.023 Ohms
漏極連續電流:102 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTQ102N20T的詳細信息,包括IXTQ102N20T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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