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IXTP60N10T

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-220-3
數量:
 8765  
說明:
 MOSFET MOSFET Id60 BVdass100
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IXTP60N10T-TO-220-3圖片

IXTP60N10T PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:43 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:40 ns
功率耗散:176 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :42 s
下降時間:37 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.018 Ohms
漏極連續電流:60 A
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:IXYS

以上是IXTP60N10T的詳細信息,包括IXTP60N10T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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